第833章氮化矽和電子陷阱
有關係！
絕對有關係！
陸遠江也是眉頭緊鎖，在想氮化矽在閃存上有啥用。
過往的經驗告訴他，陳總絕對不會無的放矢，不會隨便說一種元素的，這個氮化矽絕對有用。
就是一時間想不出來要應用在哪裡，畢竟整個半導體工藝的工序太多了。
陳星在旁邊也冇敢打擾這二位，主要是他在這方麵知道的實在不多……
突然，陸遠江轉過頭和林先動對視了一眼，都從對方眼神中看到一種不可思議。
再看陳總現在，一臉的老嬸在定，仿佛早知道自己能猜出來一樣。
哎，陳總不愧是陳總啊。
一個元素就能指明繞過ibm和美光專利的路線。
“電子陷阱！”
“氮化矽能捕獲電子！”
陸遠江和林先動猛地一喊，把陳星嚇了一跳，嗯？
這就有想法了？
“陳總，你的意思是說，ibm用的是導電浮柵來控製電子的移動，這也是他們的核心專利範圍，所以我們利用氮化矽能捕獲電子的特性，人為製造電子陷阱來控製，這樣就完全繞開了他們的專利。”
“隻需要在基礎mosfet、通用光刻、通用隧穿物理等行業通用基礎專利進行小額授權就夠了！”
“陳總，我服，我老陸服了。”
陸遠江一邊搖著頭，一邊看陳星那一臉淡定的樣子，心裡的佩服簡直到了無可複加的地步。
林先動也是補充道：“常規工藝是電子在導體浮柵自由移動，單元間存在電容耦合乾擾，美光擁有耦合抑製、浮柵電荷均衡全套方法專利，如果我們使用氮化矽，電子被絕緣介質離散陷阱鎖住，無導體耦合，串擾天然更低，不需要浮柵專屬補償算法，就能規避大量工藝方法專利。”
“說不定我們能搞定這套工藝，未來還能卡住他們的脖子。”
“就是這個氮化矽一層結構是不夠的，我們需要構成氧化物-氮化矽-氧化物這三層結構……”
“還有氮化矽的材料……”
“你們可以去無冬大師那看看。”盧偉兵急忙補充道，不就是半導體材料嘛，紅星有單獨的研發機構。
無冬大師就是專門搞這個的。
“走，老林，事不宜遲咱們先去無冬大師那看看，討論一下氮化矽這種材料。”說著二人就站了起來，就說今天不白來。
還是陳總有先見之明啊，早早的就成立了半導體材料研發部門。
這格局，這眼光，這格調。
一個字——絕！
這倆人一唱一和，把陳星搞的都有點不好意思了，自己真不記得2d平麵的時候用的什麼工藝了，要不是上一世熟讀《紅星本紀》，估計連這個氮化矽都說不出來。
結果倒好，二人自己就腦補出來了。
“哎？陸教授和林博士這麼著急乾嘛去了？”
王藤剛進門就看到二人急急忙忙的往外走，給他們打招呼都不帶搭理自己的，好奇的問向盧偉兵。
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“有點新突破，著急去實驗室。”盧偉兵言簡意賅的說道。
“哦，陳總你喊我來什麼事？平板嗎？”
陳星指了指沙發，示意王藤坐下。
“平板的等下再說，杜經理還冇到，剛才陸教授告訴我一個好消息，咱們的閃存顆粒量產了，就是性能和功耗上還有一定不足。”
“所以喊你過來說一聲，我準備在明年的閃耀2上首發國產的閃存顆粒，你有什麼想法冇有？”
王藤略作思索，然後就滿臉的興奮，淩霄芯片是閃耀首發。
國產閃存還是閃耀首發。
這是什麼？
閃耀才是紅星最重要的品牌好不好！
“產能和性能如何？”王藤直指核心的問道。
“按16g裝機來計算，約3000萬，32g會少一半，性能的話隻有三星的70-80%，而且功耗和麵積更大一點。”
聽到功耗大，麵積大，王藤有點為難，主要是閃耀2全係列都到s3了，也就是第三版工程機了，這個版本基本就是最終定型版本。
這時候換國產顆粒，麵積功耗更大那就需要動主板設計。
一來二去又得重新搞一下。
“陳總，時間上倒是冇問題，距離明年4月還有半年時間，可問題是閃耀2用的是魔改超頻h1，發熱和功耗就很大，再加上這個閃存，我有點擔心散熱會……”
王藤剛說完，陳星就笑嗬嗬的把平板打開遞給了他，上麵還停留著剛剛陸遠江看的那些散熱內容。
“這是……”
“新的散熱結構？”
王藤有點驚喜的抬頭看向陳星，vc液冷散熱片，銅管散熱，有了這個還怕個der。
瑪德，回去就把h1頻率再開0.1ghz試試。
“不錯，新的散熱結構，vc你不用看，這是旗艦機用的，成本閃耀也接受不了，那個銅管方案你倒是可以先拿去測試一下，看看核心溫度能不能穩定下來。”
“不過陳總，這玩意好像一般的廠商生產不出來吧……”王藤看完所有結構和參數後，弱弱的說道。
一個銅管看似簡單，可實際上很困難的，這玩意屬於毛細管的範疇，或者說比毛細管還要細，生產pc銅管散熱的廠商根本就生產不了。
普通的銅管精密加工廠也生產不了，因為這個銅管內部是有毛細管讓液體回流的。
陳星一拍腦袋，得，自己怎麼忘了這回事。
自己把散熱給忽略了，也就冇有提前布局這方麵的廠商。
王藤說的冇錯，確實一般廠商生產不了，得找專門的廠商進行工藝和燒結，拉伸產線改造才行。
看陳總有點苦惱，看了盧偉兵一眼後，王藤一拍胸脯對陳星說：“陳總，冇事，我和盧總不知道什麼廠能生產，但有人肯定知道！”