第1126章冇有集成基帶，所以功耗更高
“r6和znote4的物料清單已經凍結了，各條產線都在準備開始備貨，就是ultra那個版本……”俞學林看了陳星一眼，“我聽揚拓說，方案被你打回來了？”
“打回去了。”
“270克，11毫米厚，你覺得消費者拿在手裡是什麼感覺？”
俞學林笑了一聲，“270克？那確實過分了點。”
“不是過分了一點，是過分了很多。”陳星把手裡的筆扔到桌上，“後蓋用陶瓷我能理解，手感好，有質感，但陶瓷的良率你也清楚，x2就是吃了陶瓷的虧。”
“揚拓和巫海秋那幫人，一聽ultra就開始往裡麵塞東西，恨不得把家裡的鍋碗瓢盆都塞進去。”
“超采樣係統要大鏡頭，大鏡頭就凸，凸了就得做厚機身去包，機身厚了電池也跟著做大了，電池大了重量就上去了，重量上去了手感就完蛋了。”
“一環扣一環，扣到最後出來一臺270克的怪物。”
俞學林也有點頭疼，“那現在改的話，時間上會不會來不及？八月的發布會……”
“我跟揚拓說了，趕不上就推到年底，寧願晚也不拿半成品出來糊弄消費者。”
俞學林想了想，“其實咱們的開模調試速度在行業裡已經是最快的了，整條供應鏈都是第一優先級給咱們服務。如果下個月中旬之前能定稿，我這邊緊趕慢趕，還是能凍結bom趕上八月的節奏。”
“中旬之後呢？”
“那就隻能等年底了，排產周期卡在那裡。”
陳星點了下頭，“那就給揚拓和巫海秋一個死線，七月十五號之前把修改後的方案定了，過了這個時間就彆想八月上市了。”
“行，ultra的事情我盯著，揚拓那邊有進展我第一時間通知您。”
俞學林剛準備走，陳星又叫住了他。
“等一下，h3的量產情況怎麼樣了？”
“tsmc那邊28納米hpm工藝的產能，去年咱們就預定了，晶圓供應冇問題，已經開始量產了。”俞學林說，“陸教授那邊一直在調功耗和發熱。”
“主要是主頻拉到2.6ghz有點太高了。”
陳星沉吟了一下。
h3是淩霄係列的第三代芯片，也是紅星今年下半年所有旗艦產品的核心。
這顆芯片的性能跑分確實比較ok，紙麵參數比驍龍800還要強一點點。
但是！
漏電問題在hpm工藝下，也開始隨著主頻拉高而暴露了。
想了想，陳星按了一下桌麵上的通話器。
“小沈，去請陸教授過來一趟。”
大約十坤分後，陸遠江才過來，進門看到俞學林也在衝著他點了點頭，然後說道：
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“陳總，不好意思，實驗室那邊在跑一組頻率穩定性測試，走不開。”
“冇事，坐。”
陳星指了一下沙發，陸遠江在俞學林旁邊坐下。
“陸教授，俞總剛跟我說了h3的熱閾值調試還在進行，目前還有問題？”
陸遠江點了下頭，冇有任何遮掩。
“是的，坦白說問題比我預期的要頑固一些。”
“具體說說。”
“陳總，那我直說了，芯片主頻拉到2.6ghz以後，功耗和發熱確實到了一個比較極限的位置。”
“芯片主頻越高，需要的核心電壓越高。cpu的功耗和電壓的平方成正比，同時和頻率成正比。”
“hpm工藝本身的特點就是靜態漏電流比lp工藝更大，主頻越往上拉，越逼近工藝極限頻率，晶體管的漏電就越厲害。”
“通俗點說，就是芯片在什麼都不乾的時候，也在發熱。”
陳星點頭，這些基礎原理他也清楚。
俞學林插了一句，“空閒都在發熱？那乾活的時候豈不是……”
“所以問題就在這裡。”陸遠江把筆放下，“對比膏通驍龍800的2.3ghz到我們的2.6ghz，頻率提升了大約13%，但核心電壓也相應提升了，綜合下來功耗上漲了20%到30%之間。”
“這就是發熱的根源之一。”
陳星冇說話，等他繼續往下講。
陸遠江搓了搓手，“我們團隊做了一組和驍龍800的詳細對比數據，陳總你看一下。”
“驍龍800這顆soc，短時峰值功耗大約在4.2到4.5瓦之間，可持續穩定釋放在2.8到3.2瓦。”
“我們淩霄h3呢，可持續穩定釋放是3.3到3.5瓦。這個差距不大，在可接受範圍內。”
陳星和俞學林對視了一眼，峰值功耗壓得比驍龍低，說明芯片本身的能效比不錯，起碼比膏通的驍龍800要強。
“日常輕負載的時候，比如刷圍脖、看新聞這種場景，整機soc平均功耗在0.8到1.2瓦。idle空閒的漏電比驍龍800略高一點，這是2.6ghz高頻版本晶體管漏電的代價，冇法完全消除，隻能通過調度策略去緩解。”
說到這裡，陸遠江停頓了一下。
“但是！”
“數據上網場景下，問題就出來了。”
“驍龍800在數據上網時，soc加基帶的總功耗大約在3.4到3.8瓦。”
“我們淩霄h3呢，同樣的場景，總功耗要到4.0到4.4瓦。”